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東吳證券:SiC東風已來 關注襯底與外延環節的材料+設備國產化機遇

來源:智通財經    發布時間:2023-08-22 08:20:08


(資料圖片)

iC襯底:材料端良率提升是關鍵,設備端生長、切片、研磨拋光各環節國產化率逐步提升

(1)襯底:隨著下游持續擴產,我們預計全球/國內6寸碳化硅襯底片新增市場空間約380/156億元,海外龍頭起步較早,根據Yole,2020年海外廠商Wolfspeed等CR3達78%,國內龍頭天科合達、天岳先進分別僅為3%,國內SiC襯底良率較低約50%,而海外龍頭良率已達85%左右。

(2)長晶:物理氣相傳輸(PVT)最成熟,難點在于溫度控制、雜質控制、生長速度緩慢等,隨著國內SiC襯底加速擴產,我們預計2025年全球/國內6寸碳化硅單晶爐新增市場空間約100/40億元,國內廠商已經較好的實現了碳化硅單晶爐的國產化,其中北方華創(002371)市占率超50%,晶升股份市占率約 28%,晶盛機電(300316)設備自產自用。

(3)切片:金剛線切割效率高、污染少,正逐漸代替砂漿切割,激光切片損耗少、效率高,有望替代金剛線成為新一代主流切割技術,我們預計到2025年全球/國內6寸碳化硅切片設備新增市場空間約30/13億元,金剛線切割方面高測股份已推出分別兼容4-8英寸的SiC金剛線切片機并持續推進國產替代,激光切割方面大族激光(002008)和德龍激光市場份額各占約50%。

(4)研磨拋光:我們預計2025年全球/國內6寸碳化硅磨拋設備的市場空間約56/23億元,DISCO為龍頭,國內邁為股份(300751)對標DISCO ,推動設備國產化。

3 SiC外延:國外設備商主導,未來2-3年有望快速實現國產替代

SiC外延需嚴格控制缺陷,工藝難度大,我們預計2025年全球/國內6寸碳化硅外延爐新增市場空間約130/53億元,目前以意大利LPE(水平氣流)、德國愛思強(垂直氣流)、日本的Nuflare(垂直氣流)為主,其MOCVD設備的核心差異是對氣體流量的控制,國內晶盛機電、北方華創、芯三代、中電48所和深圳納設智能等均在積極推進國產替代。此外在外延完成后,SiC仍需要激光劃片進行晶圓的切割,我們預計2025年全球/國內6寸碳化硅激光切割設備新增市場空間約5/2億元,國內德龍激光、大族激光市占率各50%。

風險提示:新能源車銷量不及預期的風險、碳化硅滲透率提升不及預期的風險、SiC設備國產化率提升不及預期、各家廠商技術研發不及預期。

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